一、设备用途：

　　这是一台高真空单室有机/金属热蒸发镀膜设备，主要用于有机半导体材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验。

　　该设备具有有机材料热蒸发—沉积和金属材料热蒸发—沉积成膜功能。它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜，在衬底上沉积各种金属或合金电极并形成器件。

　　二、设备主要技术特点：

　　1、蒸发源组件石英复合组件，为电流控制方式，配有电压表与电流表，3套蒸发源可实现2对共蒸， 2个金属蒸发源(电极水冷)，配有2套电控系统，额定电压5V，额定电流300A。

　　2、最大样品尺寸100*100mm。

　　3、真空获得为复合分子泵+机械泵，配有预抽真空系统，可在分子泵不停止的情况下实现换样品，设备30分钟以内优于2*10-3pa，极限压力8*10-4pa。

　　4、密封刀口无氧铜金属密封，其余用氟胶圈，真空管路用不锈钢金属波纹管路，采用超高真空阀门。

　　5、每个蒸发源配挡板，基片配挡板，保证镀膜的可控性。

　　6、样品旋转可在0-30转/分钟调速及定位。

　　三、设备主要组成：

　　该设备由一台有机/金属真空蒸发镀膜室、分子泵真空机组、样品传送装置、电控系统、膜厚检测、组成。

　　真空镀膜室：1组有机蒸发源、2组金属蒸发源、旋转样品台、样品挡板、真空获得与测量、电源系统等组成。真空室为前开门式，便于取放样品及换蒸发源，主机与机柜分体式便于维护，每组蒸发源之间有隔板隔离，避免相互污染。

　　四、工作条件及主要技术参数：

　　1、供电：～380V三相五线供电系统(整机容量6KW)，环境温度10℃～40℃，冷却水循环量0.3M3/H，水温度15℃～30℃，气源压力6公斤，6毫米塑料管。

　　2、极限真空：8×10-4Pa(新设备);工作背景真空：2×10-3Pa;恢复工作背景真空时间30分钟左右。

　　五、热蒸发镀膜设备配置参数：

　　(一)、真空室及组件1套。

　　1)、 450*450*500主真空室(包括：不锈钢U型室及门法兰1套、XF100观察窗及接管1套、可装电极及接管的底法兰1套、CF150法兰座及接管1套、CF63法兰座及接管1套、CF35法兰座及接管2套、旋转及挡板法兰座1套、KF16接口1件)。

　　2)、 减速电机控制可旋转、定位及调速样品台1套。

　　3)、 外控样品台旋转档板1套。

　　4)、 金属及有机物蒸发源3套。(电极水冷)

　　5)、 外控蒸发源挡板3套。(电动磁力转轴)

　　6)、 带脚轮、支脚、围板机架1套。

　　(二)、真空获得1套。

　　1)、 真空室与插板阀连接管道1套(包括KF40预抽阀连接法兰)。

　　2)、 KF40手动高真空角阀2只。

　　3)、 CF150插板阀2只。

　　4)、 600升复合分子泵1套。

　　5)、 KF25手动高真空角阀1只。

　　6)、 KF40*1米前级不锈钢波纹管2根。

　　7)、 KF40四通通1只。

　　8)、 KF25*1.3米预抽不锈钢波纹管1根。

　　9)、 KF40压差阀1只。

　　10)、 合资6升机械泵1台。

　　11)、 KF16手动充气阀2只。

　　12)、 KF40卡箍9只。

　　13)、 KF25卡箍3只。

　　14)、 KF16卡箍3只。

　　(三)、电器控制1套。

　　1)、 1.6米机柜1套。

　　2)、 真空测量1套。(复合真空计)

　　3)、 蒸发加热控制电源3套(含变压器)。

　　4)、 旋转、阀门、照明及蒸发源挡板控制电源1套。

　　5)、 总控电源1套。

　　(四)、其余配件：

　　1)、 样品架2套

　　2)、 过渡真空室1套

　　3)、 磁力传送杆1套

　　4)、 膜厚仪1套。(注：水冷探头)

　　5)、 冷却水循环机1套

　　(五)、密封件及紧固件等。

　　(六)、设计调试及运输。

　　六、设计思路及案例：