一、设备概述：

PE-ALD等离子体增强原子层沉积系统是专门为特殊应用领域的科学研究与工业开发用户而设计的单片沉积系统，系统电气完全符合CE标准；该系统扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度，广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。

此系统包含用于原子层沉积的2路前驱体源、2通道质量流量计控制系统、各部件加热器系统、精密控温样品台系统等。该管式炉系统为热壁反应室工艺，它的主要优势是在反应室侧壁上所淀积的也都是高品质的ALD薄膜，热壁反应室设备往往能阻止薄膜的早期剥离，由于从加热的侧壁脱附的反应源流量较高，从而加速了对反应空间的清洁。

此套设备可作为单独的CVD、PECVD、ALD、PEALD使用。搭建等离子增强原子层沉+化学气相沉积系统（PE-ALD-CVD），用于生长各类材料。

二、技术指标：

1. 控制阀门动作等整套系统采用PLC触摸屏控制；

2. 基片加热温度：室温～1000℃，升温速率10℃/min，控制精度±1℃，可自动左右移动实现快速升降温，移动速度可调实现阶梯镀膜。

3. 前驱体输运系统：标准2路前驱体管路；

4. 前驱体预热温度：室温～1000℃，控制精度±1℃；

5. 源瓶/气体管道加热温度：室温～150℃，控制精度±1℃；

6. ALD阀采用韩国三通道气动隔膜阀，洁净等级EP；

7. 管内真空＜10Pa；

8. 载气系统N2或者Ar；

9. 生长模式：高速沉积模式和停留生长模式；

10. 等离子体源：300W；

11. 电源 50-60Hz, 220V/5Kw交流电源

三、具体配置：