一、PECVD原理：

　　化学气象沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)是在一定的温度条件下，混合气体之间与基材表面相互作用，并且进一步在基材表面形成金属膜或者化合物薄膜，使材料表面改性，以达到耐磨，抗氧化、抗腐蚀性等性能，在电子，光学，摩擦力学，机械应用方面有很多应用。

　　等离子化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,简称PECVD)也叫做等离子体辅助化学气象沉积(简称PACVD)则是依靠等离子体中得电子的动能去激活气象得化学反应，由于等离子体是离子、电子、中性原子和分子的集合体，因此大量的能量存在于等离子的内能之中。PECVD是冷等离子体，是通过低压气体放电而形成的，一般是在几帕到几百帕的低气压下，通过射频、中频等放电所产生。

　　二、PECVD的特点：

　　与常规的热CVD比较，PECVD具有更多的优点

　　1、沉积温度低：热CVD的温度一般高于600度，其应用范围非常有限，大部分只能用于实验功能，PECVD的沉积温度可以降到200度以内，这是由于其内能，也就是电子所具备的高能量所提供的。此优点决定了其可以广泛的应用于各种金属、半导体、电子等领域。

　　2、沉积速率及均匀性得到提高：PECVD在辉光放电中所用的压力比较低，反应物中分子、原子等离子粒团与电子之间的碰撞、散射、电离等作用增强，膜层厚度的均匀性得到改善，针孔减少，组织致密，内应力少，不易产生微裂纹。

　　3、可以获得性能独特的膜层：PECVD的辉光放电处于非平衡状态，及能量耗散状态，其沉积产物呈多样性，可以获得热分解所不能得到的物质，最典型的，热分解甲烷得到石墨薄膜，PECVD则可以得到金刚石薄膜。

　　三、设备特点

　　1、设备整体尺寸：2000mm*18000mm*1600mm(宽*深*高)

　　2、真空室尺寸：直径700、900、1100mm

　　3、平行板电极尺寸：直径600、800、1000mm

　　4、电极冷却及调节：水冷，可调节

　　5、真空系统：粗抽泵+分子泵机组

　　6、极限真空度：1*10-6mabr。

　　7、溅射电源：AE 射频直流电源3KW-5KW-10KW

　　8、工艺匹配：全自动匹配

　　9、气体控制：MKS 质量流量控制器 4路

　　10、真空检测：MKS 薄膜压力规

　　11、加热系统：石英管加热或热电阻加热 5KW-8KW-12KW

　　12、控制方式：全自动控制系统

　　四、PECVD设备的应用

　　1、沉积DLC膜层：用与机械、电子、医疗等领域

　　2、沉积氮化硅：半导体行业、微电子行业

　　3、沉积TIN膜层：以及TIC等硬质膜层，比离子镀更光亮，更美观

　　4、纳米炭管：CNTs是PECVD技术的一个新的应用

　　5、太阳能薄膜电池：非晶硅太阳能电池的制备