1、整体设备采用聚簇式结构：

　　a.样品室作为转换室，可实现3*5片样品的自动传递与收纳;

　　b.3个反应室合理分布在样品室周边，真空密封连接;

　　c.反应室加热温度分别是1200℃、1400℃、1700℃，显示精度0.1℃，控制精度±0.5℃，30段程序控温，超温、断偶报警功能;

　　d.反应室具备样品淬火冷阱，便于实现设计工艺要求;

　　e.其中之一反应室为石英腔室，可方便观察内部样品沉积状况，其他两个反应室应设置石英观察窗口，便于观察及测量;

　　f.中控区域置于合理操作区域，并尽量与整体设备合理布局，减少占地面积;

　　g.中控机构控制部分采用工业PLC控制，人机界面采用嵌入式触摸屏;

　　h.整体设备做到去仪表化，减少仪表的使用，要求工控集成度高;

　　i.控制部分可实现自动化与手动化操作的兼容性和可切换性;

　　j.人机界面具备不同实验组数据区别存储化、数据U盘库导入/出功能、界面曲线表格化。

　　2、样品直径尺寸2英寸，厚度1mm，样品根据实验功能化，需要对设备提出如下要求：

　　a.样品在高温状态反应结束后，需迅速进入急冷状态，实现淬火;

　　b.样品在反应室坩埚升温至所需反应温度过程中不可与反应物接触，减少在升温过程的沉积几率，提高实验数据的精准性;

　　c.样品在反应室内不得出现侧翻、放置不平等影响镀膜的状况出现。

　　3、设备工作真空度要求：

　　a.整体设备真空度≤5Pa，漏率≤10-7Pa L/s;

　　b.设备可实现自动、手动稳压、恒压的功能。

　　4、设备充气要求：

　　a. 设备充气系统分为4路质量流量计控制流速，气体流量范围为0-200sccm，误差为±1.5%;

　　b. 设备充气系统可实现自动、手动稳压、恒压的功能。

　　5、3个反应室等离子体辉光放电采用射频电源：

　　a.射频频率：13.56MHz;

　　b.射频功率输出范围：5~500W。

　　6、设备基本参数：

　　a.额定总功率20KW;

　　b.380V,三相四线制;

　　c.占地面积4m*4m;

　　d.总重量400Kg。