中国科学院物理研究所PE-ALD原子层沉积镀膜设备通过验收

　　2016年1月27日，北京维意真空技术应用有限责任公司完成了向中国科学院物理研究所PE-ALD原子层沉积镀膜设备的工作。

　　PE-ALD等离子体增强原子层沉积系统是专门为特殊应用领域的科学研究与工业开发用户而设计的单片沉积系统;该系统扩展了普通原子层沉积系统对前驱体源的选择范围、提高薄膜沉积速率和降低沉积温度，广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积。

　　此次交付的TALD原子层沉积镀膜设备是联合自主研发的产品(控制部分是中科院物理研究所自己制作)：

　　1、反应腔室、设备管路、前驱体源瓶均采用316L不锈钢制作完成;

　　2、可实现高K栅氧化层，存储容性电介质，铜互连中高深宽比扩散阻挡层，OLED无针孔钝化层，MEMS的高均匀镀膜，纳米多孔结构镀膜，特种光纤掺杂，太阳能电池，平板显示器，光学薄膜，其它各类特殊结构纳米薄膜

　　可达到的技术指标：

　　1、基片尺寸 4英寸;

　　2、基片加热温度 室温～300℃，控制精度±0.1℃;

　　3、前驱体输运系统 采用前驱体柜;

　　4、前驱体管路温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃;

　　5、源瓶加热温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃;

　　6、ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀;

　　7、本底真空 <5*10-1Pa，进口防腐泵

　　8、载气系统 N2或者Ar

　　9、生长模式 高速沉积模式和停留生长模式

　　10、等离子体源 300W 感应耦合远程等离子体

　　11、等离子体放电气源 标准3路，可选配

　　12、 控制系统 PLC+触摸屏或者显示器

　　13、电源 50-60Hz, 220V/20A交流电源

　　14、沉积非均匀性 非均匀性<±1%

　　15、设备尺寸 1000mm x 750mm x 1600mm